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東莞記憶研發總部-2號研發大樓3號地下室工程之幕牆安裝工程

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項目介紹
工程概況

Project description

項目介紹

記憶科技集團成立於1997年，在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設有六大研發中心，在東莞、惠州、鄭州設有三座現代化製造基地，能夠為全球客戶提供從晶圓測試與分級、晶片封裝與測試，擁有數十條世界一流的全自動化高速SMT生產線。
東莞記憶儲存科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產業開發區，目前主要從事動態隨機儲存（DRAM)和快閃記憶體（FLASH）晶片封裝測試及工控產品與伺服器製造。
創興建設承接了記憶研發總部-2號研發大樓/3號地下室工程之幕牆安裝工程，本工程位於松山湖金多港西一路東側，規劃用地面積為20000 ㎡，總建築面積為27265.57 ㎡，其中1 號研發建築面積為9449.86 ㎡及地下室498.31 ㎡，2號研發建築面積7150.31 ㎡及地下室建築面積10665.41㎡。

Project profile

工程概況

項目地址：廣東省東莞市松山湖金多港西一路東側

承建範圍：帷幕牆工程，包含玻璃帷幕牆、門工程，陶土板帷幕牆，填充牆，金屬飾面，天花板及雨蓬系統、玻璃欄桿、金屬格柵、鋁錳鎂板輕型屋頂等供應、製作、安裝所需的一切專案；

承建面積： 17815.72 ㎡

完成時間： 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工期時長： 120天